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电子元器件详细资料 » IC[27593] » SGSD200
型号:SGSD200类别:晶体管(BJT) - 单路制造商:STMicroelectronics
封装:TO-247-3描述:TRANSISTOR DARL PNP COMPL TO-247

详细参数

类别晶体管(BJT) - 单路
描述TRANSISTOR DARL PNP COMPL TO-247
系列-
制造商STMicroelectronics
晶体管类型PNP - 达林顿
电流_集电极(Ic)111最大22225A
电压_集电极发射极击穿111最大22280V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大2223.5V @ 80mA,20A
电流_集电极截止111最大222500µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)500 @ 10A,3V
功率_最大130W
频率_转换-
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商设备封装TO-247-3
包装管件

供应商

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深圳市芯柏然科技有限公司欧阳0755-82533534
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深圳市格雷迪电子有限公司林先生15914072177
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